金融界2025年5月14日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，無(wú)錫市晶源微電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于高壓功率PMOS管的ESD結(jié)構(gòu)”的專利，公開號(hào)CN119994820A，申請(qǐng)日期為2025年2月高壓管 。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種基于高壓功率PMOS管的ESD結(jié)構(gòu)，包括：用于對(duì)高壓功率PMOS管的輸入端到地進(jìn)行ESD保護(hù)的寄生PNP管；寄生PNP管包括作為基極的高壓功率PMOS管的源極P有源區(qū)、作為集電極的外部的P有源區(qū)襯底接地環(huán)和作為基電極的高壓功率PMOS管的背柵極N有源區(qū)環(huán)；其中，在正常工作狀態(tài)下，寄生PNP管處于截止?fàn)顟B(tài)；而當(dāng)靜電放電事件發(fā)生時(shí)，寄生PNP管導(dǎo)通高壓管 。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有高壓管腳ESD保護(hù)器件占用芯片面積較大的問(wèn)題，占用較小的芯片面積，同時(shí)提供較高的ESD保護(hù)能力。

天眼查資料顯示，無(wú)錫市晶源微電子股份有限公司，成立于2003年，位于無(wú)錫市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)高壓管 。企業(yè)注冊(cè)資本5106.6757萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，無(wú)錫市晶源微電子股份有限公司共對(duì)外投資了3家企業(yè)，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息9條，專利信息182條，此外企業(yè)還擁有行政許可15個(gè)。

來(lái)源：金融界